Personatges històrics de l'IMB-CNM

Nascuda a Pamplona i llicenciada en Física per la Universidad de Navarra (1970). Es va traslladar a Barcelona per a realitzar la tesi doctoral en el disseny de circuits digitals al Departament de Física de la Universitat Autònoma de Barcelona, tesi que va llegir el 1981. Amb la creació del Centre Nacional de Microelectrònica, s'incorporà el 1987 com a Col·laboradora Científica del CSIC al Departament de Disseny de Circuits Integrats a la seu de Barcelona, sent una de les seves membres fundadors.

Va dedicar la seva trajectòria investigadora al disseny d’ASICS en tecnologies MOS en el marc de projectes nacionals i europeus. Va destacar pel seu compromís envers el disseny microelectrònic, tant en el vessant acadèmic com en la difusió de l’especialitat a Espanya i a Iberoamèrica.

Nascuda a Aguilar de Segarra (Bages) i va cursar estudis d'Administració. Va treballar 14 anys a l’empresa de semiconductors Piher Ferritas com a responsable de verificació i control de qualitat i posteriorment a Flamagàs. Es va incorporar al Centre Nacional de Microelectrònica el 1990, poc temps després de la seva creació, unint-se a l’equip de tècniques d'operacions de la Sala Blanca.

Amb la inauguració de la nova Sala Blanca a l'emplaçament actual, va passar a encarregar-se especialment dels processos de fotolitografia i dels processos tèrmics al torn de la tarda. La Isabel, al llarg de la seva vida laboral, va mostrar una gran disposició i aptitud en la manipulació amb cura de les oblies, els processos, les màquines i sobretot del funcionament general de la Sala Blanca. Va ser pedra angular i nexe d'unió del personal tècnic de Sala amb el personal investigador de l'IMB-CNM, ja que tothom respectava la seva opinió i el seu rigor a la feina.

Nascut a Terrassa i llicenciat en Ciència Físiques per la Universitat Autònoma de Barcelona en 1985. Doctor per la mateixa universitat en 1989, versant la seva tesi doctoral sobre la fabricació de dispositius de potència VDMOS de molt baixa resistència en conducció.

Es va incorporar al Grup de Dispositius de Potència del CNM en 1986, sent Col·laborador Científic del CSIC des de 1991. Va ser un dels primers membres del CNM, on va treballar en la tecnologia, modelització, simulació numèrica i caracterització elèctrica de dispositius MOS de potència. Va dissenyar i va posar a punt el procés de fabricació de dispositius de potència amb porta de polisilici. Aquest procés va ser la base per al disseny i fabricació dels posteriors dispositius VDMOS i IGBT realitzats en el grup en el marc de projectes nacionals i europeus en els quals ell també va participar activament. Va ser, a més, un dels dissenyadors del logo del CNM.